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IT之家 10 月 15 日信息，据武汉东湖新技术研发区管理委员会（中国光谷）今日信息，光谷企业在半导体专用光刻胶行业实现重大突破：
武汉太紫微光电科技有限机构（以下简叫作“太紫微机构”）推出的 T150 A 光刻胶制品，已经过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。
中国光谷官方介绍叫作：“该制品对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。相较于被业内叫作之为‘妖胶’的国外同系列制品 UV1610，T150 A 在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到 120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，经过验证发掘 T150 A 中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。”
IT之家查找公开资料获悉，太紫微机构成立于 2024 年 5 月，由华中科技大学武汉光电国家科研中心团队创立。
太紫微机构企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强暗示：“以原材料的研发为起点，最后得到拥有自主知识产权的配方技术，这只是个起始，咱们团队还会发展一系列应用于区别场景下的KrF 与 ArF 光刻胶，为国内关联产业带来更加多惊喜。”
IT之家 10 月 15 日信息，据武汉东湖新技术研发区管理委员会（中国光谷）今日信息，光谷企业在半导体专用光刻胶行业实现重大突破：
武汉太紫微光电科技有限机构（以下简叫作“太紫微机构”）推出的 T150 A 光刻胶制品，已经过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。
中国光谷官方介绍叫作：“该制品对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。相较于被业内叫作之为‘妖胶’的国外同系列制品 UV1610，T150 A 在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到 120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，经过验证发掘 T150 A 中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。”
IT之家查找公开资料获悉，太紫微机构成立于 2024 年 5 月，由华中科技大学武汉光电国家科研中心团队创立。
太紫微机构企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强暗示：“以原材料的研发为起点，最后得到拥有自主知识产权的配方技术，这只是个起始，咱们团队还会发展一系列应用于区别场景下的KrF 与 ArF 光刻胶，为国内关联产业带来更加多惊喜。”
